(1)在沉積溫度下，反應(yīng)物必須有足夠高的蒸氣壓。若反應(yīng)物在室溫下全部為氣態(tài)，則沉積裝置就比較簡單，若反應(yīng)物在室溫下?lián)]發(fā)很小，則需要加熱使其揮發(fā)，有時(shí)還需要用運(yùn)載氣體將其帶人反應(yīng)室。

    (2)反應(yīng)生成物中，除了所需要的沉積物為固態(tài)之外，其余物質(zhì)都必須是氣態(tài)。

    (3)沉積薄膜的蒸氣壓應(yīng)足夠低，以保證在沉積反應(yīng)過程中，沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上?；牧显诔练e溫度下的蒸氣壓也必須足夠低。

沉積反應(yīng)物主要分為以下三種狀態(tài):

    (1)氣態(tài)。在室溫條件下為氣態(tài)的源物質(zhì)，如甲烷、二氧化碳、氨氣、氯氣等，它們最利于化學(xué)氣相沉積，流量調(diào)節(jié)方便。

    (2) 液態(tài)。一些反應(yīng)物質(zhì)在室溫或稍高的溫度下，有較高的蒸氣壓，如 TiCI4、SiCl4、CH3SiCl3等，可用載氣(如H2、N2、Ar)流過液體表面或在液體內(nèi)部鼓泡，然后攜帶該物質(zhì)的飽和蒸氣進(jìn)入工作室。

    (3)固態(tài)。在沒有合適的氣態(tài)源或液態(tài)源的情況下，只能采用固態(tài)原料。有些元素或其化合物在數(shù)百度時(shí)有可觀的蒸氣壓，如 TaCl5、Nbcl5、ZrCl4等，可利用載氣將其攜帶進(jìn)入工作室沉積成膜層。

更為普遍的情況式通過一定的氣體與源物質(zhì)發(fā)生氣-固或氣-液反應(yīng)，形成適當(dāng)?shù)臍鈶B(tài)組分向工作室輸送。如用HCl氣體和金屬Ga反應(yīng)形成氣態(tài)組分GaCl，以GaCl形式向工作室輸送。

——本文由CVD鍍膜設(shè)備廠家廣東振華發(fā)布