廣義地來講,CVD大致可分為兩類:一類是在單品襯底上氣相沉積單晶外延層,這是狹義上的 CVD;另一類是在襯底上沉積薄膜,包括多品和非晶薄膜。根據(jù)所用源氣體的種類不同,CVD可分為鹵素輸運法和金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MOCVD),前者以鹵化物為氣源,后者以金屬有機化合物為氣源。按照反應(yīng)室內(nèi)的壓力,可分為常壓 CVD(APCVD)、低壓 CVD(LPCVD)和超高真空 CVD(UHV/CVD)三種主要類型。CVD 還可以采用能量增強輔助方法,現(xiàn)在常見的包括等離子增強 CVD(PECVD)和光增強 CVD(PCVD)等。

    CVD實質(zhì)上是一種氣相物質(zhì)在高溫下通過化學(xué)反應(yīng)而生成固態(tài)物質(zhì)并沉積在襯底上的成膜方法。具體地說,揮發(fā)性的金屬鹵化物或金屬有機化合物等與H、Ar或N等載氣混合后,均勻地輸運到反應(yīng)室內(nèi)的高溫襯底上,通過化學(xué)反應(yīng)在襯底上形成薄膜。無論是哪種類型的 CVD,沉積得以順利進行必須滿足下列基本條件:其一,在沉積溫度下,反應(yīng)物必須具有足夠高的蒸氣壓;其二,反應(yīng)生成物,除了所需的沉積物為固態(tài)外,其余都必須是氣態(tài);其三,沉積物本身的蒸氣壓應(yīng)足夠低,以保證在整個沉積反應(yīng)過程中能使其保持在加熱的襯底上;其四,襯底材料本身的蒸氣壓在沉積溫度下也應(yīng)足夠低。

——本文由真空鍍膜設(shè)備廠家廣東振華發(fā)布