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2023-08
直接引出式離子束沉積介紹
直接引出式離子束沉積是離子束輔助沉積方式的一種。直接引出式離子束沉積屬于非質(zhì)量分離式離子束沉積。該技術(shù)于 1971 年首先被用于制取類金剛石碳膜，其原理是:離子源陰極和陽極的主要部分的材料都是由碳構(gòu)成。
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2023-08
反應(yīng)磁控濺射制備化合物薄膜的特點(diǎn)
反應(yīng)磁控濺射即在濺射過程中供入反應(yīng)氣體與濺射粒子進(jìn)行反應(yīng)，生成化合物薄膜它可以在濺射化合物靶的同時(shí)供應(yīng)反應(yīng)氣體與之反應(yīng)，也可以在濺射金屬或合金靶的同時(shí)供應(yīng)反應(yīng)氣體與之反應(yīng)來制備既定化學(xué)配比的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射制備化合物薄膜的特點(diǎn)是:
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2023-08
真空陰極電弧離子鍍工作原理
當(dāng)陰極受到大量高速正離子轟擊而被加熱到高溫時(shí)，因陰極產(chǎn)生顯著的熱電子發(fā)射，從而使等離子體放電中的陰極位降降低，放電電流增大。該陰極位降只需保持陰極區(qū)能量(即電流與陰極位降的乘積)，即足以使陰極維持電子熱發(fā)射所需要的溫度，就可維持弧光放電。
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2023-08
真空蒸鍍的簡介
真空蒸發(fā)鍍膜（簡稱蒸鍍）是在真空環(huán)境下，用蒸發(fā)器加熱膜材使之氣化，膜材蒸發(fā)的粒子流直接射向基片并在基片上沉積，形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。
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