真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，涵蓋了多個行業(yè)和領(lǐng)域。主要的應(yīng)用領(lǐng)域包括： 消費(fèi)電子和集成電路：真空鍍膜技術(shù)在消費(fèi)電子產(chǎn)品中有著廣泛的應(yīng)用，例如在金屬結(jié)構(gòu)件、攝像頭、玻璃等部件中。這些應(yīng)用有助于提高產(chǎn)品的性能和外觀。

(1)ZnO薄膜的制備技術(shù) ZnO薄膜具有以下突出優(yōu)點(diǎn):①廉價的原材料；②無毒；③具有可以與 ITO 相比擬的電學(xué)和 光學(xué)特性；④具有優(yōu)異的性能價格比；⑤易于制備，生產(chǎn)成本低。正是由于 ZnO 薄膜以上明顯的優(yōu)點(diǎn)，人們研究了用不同的方法來制備 ZnO 薄膜，其制備方法主要包括反應(yīng)濺射、脈沖激光沉積、化學(xué)氣相沉積、噴涂熱分解，以及溶膠、凝膠等。其中磁控濺射技術(shù)是目前應(yīng)用最多的方法。以下簡單介紹ZnO 薄膜的磁控濺射技術(shù)，以及噴涂熱分解技術(shù)。 ① 磁控濺射技術(shù)沉積 ZnO 薄膜 濺射技術(shù)已廣泛應(yīng)用于 ZnO 薄膜的制備。其中主要包括直流反應(yīng)磁控濺射(DCMS)、射頻磁控濺射(RFMS)和中頻磁控濺射(MFMS)。在濺射技術(shù)沉積 ZnO 薄膜中，金屬靶或氧化物靶均可作為濺射的靶材。沉積工藝參數(shù)對薄膜的結(jié)構(gòu)特性和生長速率具有顯著的影響，其中主要包括工作氣體組分、等離子條件，沉積溫度等。一般情況下，提高基底溫度有利于薄膜結(jié)晶性能的改善。在濺射氧化物靶材的過程中，工作氣氛中氧濃度的增加有利于薄膜結(jié)晶狀況的改善和晶粒尺寸的增加。在濺射制備 ZnO 薄膜中，廣泛使用 ZnO+Zn靶、Ar+O，或 Ar+O2+H，氣氛，其中 ZnO+Zn 有利于保證薄膜中 Zn 的含量，從而改善薄膜的導(dǎo)電性能。適量H，的加人可以控制Zn/0的比例，有利于降低薄膜的電阻率。此外，在濺射中給基底上施加負(fù)偏壓或采用磁控濺射都可以降低沉積溫度，從而實(shí)現(xiàn)在柔性基底上制備 ZnO 薄膜。 未摻雜的 ZnO 薄膜的特性不穩(wěn)定，克服該缺點(diǎn)的最好辦法是對 ZnO 薄膜進(jìn)行摻雜，n、A1、Ga和 Sn 等是最常用的摻雜劑。上面講到的濺射法也可以用于制備摻雜的 ZnO 薄膜，摻雜量一般為(2.5~25)at.%。摻雜后的 ZnO 薄膜一般具有優(yōu)良的光電性能，其電阻率可達(dá)到 10-Ω·cm左右，對可見光的透射率大于 80%。

(3)射頻等離子體CVD(RFCVD) 射頻可以由兩種不同方式產(chǎn)生等離子體，即電容耦合法和電感耦合法。射頻等離子體 CVD使用的頻率為 13.56MHz。射頻等離子體的優(yōu)點(diǎn)在于，它彌散的區(qū)域遠(yuǎn)大于微波等離子體。但是，射頻電容耦合等離子體的局限性是，等離子體的頻率對于濺射而言不是最佳頻率，尤其是等離子體包含氬時。由于來自等離子體的離子轟擊會導(dǎo)致對金剛石的嚴(yán)重?fù)p傷，因此電容耦合等離子體不適合于生長高質(zhì)量的金剛石薄膜。利用射頻感應(yīng)等離子體，人們已經(jīng)生長出多晶金剛石薄膜，其沉積條件與微波等離子體 CVD 相似。利用射頻感應(yīng)等離子體增強(qiáng) CVD，人們還獲得了同質(zhì)外延金剛石薄膜。

(1)熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD) 熱絲 CVD技術(shù)是在低壓下生長金剛石的最早方法，而且也是最大眾化的方法。1982年Matsumoto 等人將難熔金屬絲加熱到 2000℃以上，在此溫度下，通過燈絲的 H2氣體很容易產(chǎn)氫原子。在碳?xì)錈峤膺^程中，原子氫的產(chǎn)生增加了金剛石薄膜的沉積速率。金剛石被選擇沉積而石墨的形成則被抑制，使金剛石薄膜的沉積速率達(dá)到 mm/h的量級，而這一沉積速率對于工業(yè)上普遍采用的方法。HFCVD 可以使用各種碳源，如甲烷、丙烷、乙炔和其他碳?xì)浠衔?，甚至些含有氧的碳?xì)浠铮绫?、乙醇和甲醇等。含氧基團(tuán)的加人使金剛石的沉積溫度范圍大大變寬。