光學薄膜器件的制造是在真空室內進行的，同時膜層的生長又是一個微觀過程,而目前能夠直接控制的卻是一些與膜層質量有間接關系的宏觀因素的宏觀過程。即便如此，人們還是通過長期堅持不懈的實驗研究，找到了膜層質量與這些宏觀因素之間的規(guī)律性關系，成為指導游膜器件制造的工藝規(guī)范，對于制造質量優(yōu)良的光學薄膜器件發(fā)揮著重要的作用。

直流反應磁控濺射鍍膜工藝的弱點及其改進方法 由于直流磁控反應濺射鍍膜能夠精確地控制工藝參數和膜層特性，沉積速率高，易于實現大面積鍍膜，因此已經成為薄膜沉積技術中的重要方法之一，活躍在真空鍍膜的領域中。然而，由于這種鍍膜工藝，不但靶材利用率低、濺射產額有限、靶在反應濺射過程中非刻蝕區(qū)堆積著因氣相反應而生成的絕緣層，并且在其絕緣層表面上積累了大量的正電荷，最終會引起靶面電流放電，導致從靶面上噴射液滴，這不但可使正在生長著的薄膜產生嚴重的缺陷，而且還會隨著電弧放電頻率的進一步增長而使濺射過程難于進行。此外，在反應過程中由于磁控陰極的外部邊緣以及周圍的陽極都會被覆蓋上絕緣層，使陽極的作用逐漸消失，等離子體阻抗不斷增加，從而可能造成工藝參數不穩(wěn)定，成膜的重復性變壞等現象的出現。

離子束輔助沉積的方式主要有兩種，一是動態(tài)混合式；二是靜態(tài)混合式。前者是指膜在生長過程中始終伴隨著一定的能量和束流的離子轟擊而成膜的；后者則是預先在基體表面上沉積一層小于幾納米厚度的膜層，然后再進行動態(tài)的離子轟擊，并且可如此重復多次而生長成膜層。

① 離子束輔助沉積技術的最大特點是膜與基體間的附著力強，膜層十分牢固。實驗表明:離子束輔助沉積的附著力比熱蒸鍍的附著力提高了幾倍到幾百倍，其原因主要是由于離子轟擊對表面所產生的清洗作用，使膜基界面上形成梯度界面結構或稱混合過渡層，以及減少膜的應力所致。 ② 離子束輔助沉積可改善膜的機械性能、延長疲勞壽命，非常適合制備氧化物、碳化物、立方 BN、TiB:以及類金剛石涂層等。例如在1Crl8Ni9Ti耐熱鋼上采用離子束輔助沉積技術生長 200nm的SiN,薄膜時，不僅可以抑制材料表面疲勞裂紋的萌生，而且可以明顯地降低疲勞裂紋的擴散速率，對延長其壽命有著良好的作用。