真空離子鍍膜(簡(jiǎn)稱離子鍍)是1963年美國(guó) Somdia 公司的 D.M.Mattox 提出的,20世紀(jì)70年代得到快速發(fā)展的一種全新表面處理技術(shù)。它是指在真空氣氛中利用蒸發(fā)源或?yàn)R射靶使膜材蒸發(fā)或?yàn)R射，蒸發(fā)或?yàn)R射出來的一部分粒子在氣體放電空間中電離成金屬離子，這些粒子在電場(chǎng)的作用下沉積到基體上生成薄膜的一種過程。

化學(xué)氣相沉積( Chemical Vapor Deposition,CVD),顧名思義就是利用氣態(tài)先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑來生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)，簡(jiǎn)稱CVD技術(shù)。它是利用加熱、等離子體增強(qiáng)、光輔助等手段在常壓或低壓條件下使氣態(tài)物質(zhì)通過化學(xué)反應(yīng)在基體表面上制成固態(tài)薄膜的一種成膜技術(shù)。

(1)電阻加熱式蒸發(fā)源的特點(diǎn)、使用要求及選材 電阻加熱式蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、易于制作，是應(yīng)用最為廣泛的一種蒸發(fā)源。人們通常稱為發(fā)熱體或蒸發(fā)舟。 加熱所用電阻材料的要求是:使用溫度高、電阻率適宜、高溫下蒸氣壓低，不與膜材發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，不產(chǎn)生放氣和污染等。所選用的電阻加熱材料主要來源于難熔金屬，如W、Mo、Ta等材料或選用高純、高強(qiáng)度石墨或氮化硼合成導(dǎo)電陶瓷等材料。有時(shí)，也可選用Fe、Ni、Ni-Cr 合金及 Pt等作為蒸發(fā)源材料。 各種電阻加熱式蒸發(fā)源的常用材料(如 Ti、Mo、C、Ta、W 等)的熔點(diǎn)和蒸氣壓與溫度的關(guān)系曲線不同。其中鎢在加熱到蒸發(fā)溫度時(shí)，會(huì)因加熱結(jié)品而變脆。鉬則會(huì)因純度不同而有所不同，有的會(huì)變脆，有的則不會(huì)變脆。鎢和水汽起反應(yīng)，會(huì)形成揮發(fā)性氧 化物 WO3。因此，鎢在殘余水汽中加熱時(shí)，加熱材料會(huì)不斷受到損耗。殘余氣體壓力低時(shí),雖然材料損耗并不多，但是，它對(duì)于膜的污染是較嚴(yán)重的。