在真空蒸發(fā)鑲與真空離子鎮(zhèn)的過程中，將膜材登于 1000°C~2000°C 高溫下，使其燕發(fā)汽化的裝置，稱為蒸發(fā)源。蒸發(fā)源種類較多，蒜發(fā)源汽化膜材的原理也各不相同。但是，就其應用特點而言，在設計或應用時，主要應考慮如下幾方面問題： ①蒸發(fā)源應滿足膜材蒸發(fā)時具有較大的蒸發(fā)速率，并且能存儲足夠數量的膜材； ②蒸發(fā)源應具有較好和較長的使用壽命； ③蒸發(fā)源的使用范圍應當廣泛，既可蒸發(fā)金屬或合金（如 Al、Ti、Fe. Co. Cr）也可 蒸發(fā)化合物（如 SiO、SiO2、Zns 等）； ④蒸發(fā)源在結構上應力求簡單、易手制作、使用維護方便、運轉費用低廉。

基片表面形稅對游膜的生長有著非常重要的彩響。若基片的表面相糙度超來超大，緒合面缺陷也會越來越多，會影響薄膜的附著和生長速率。因此，在真空鏤膜開始前，會對基片進行預處理，起到在清洗基片的同時，增大基片表面粗糖度的作用。

①鉻靶 鉻作為濺射膜材不但易與基材結合有很高的附著力，而且鉻與氧化物生成CrO3。膜時，其機械性能、耐酸性能、熱穩(wěn)定性能都較好。此外，鉻在不完全氧化狀態(tài)下還可生成弱吸收膜。將純度98%以上的鉻制成矩形靶材或圓筒形鉻靶材已有報道。此外，采用燒結法制成鉻矩形靶的技術也已成熟。 ② ITO靶 制備 ITO膜所用的靶材，過去通常采用 In-Sn 合金材料來制靶，然后在鍍膜過程中通氧，而后生成ITO膜。這種方法由于反應氣體控制較難，制重復性較差。因而，近幾年已經被ITO燒結靶所取代。ITO靶材典型的工藝過程是按質量配比，通過球磨法將其充分混合后，再加入專用有機粉合劑將其混合成所要求的形狀，并通過加壓壓實后，再將板塊在空氣中以 100℃/h的升溫速度升溫到1600℃后保溫1h，再以冷卻速度為100℃/h降到常溫而制成。制靶時靶平面要求磨光，以免在濺射過程中出現熱點。