1.電子元件用薄膜 例如，Ta、Ta2N、Ta-Al-N、Ta-Si、Cr-SiO、NiCr、Sn、Sb金屬膜電阻，SiO、SiO2、Al2O3;、Ta2O5;、TiO2、Al、Zn電容以及 Cr、Cu (Au)、Pb-Sn、PbIn、Au、Pt、A1、Au+Pb+In、Pb+Au+Pb、A1+Cu、Zn0、CdS電極等。 2.攝像管中的 SbS2、CdSe、Se-As-Te、ZnSe、PbO、光電導(dǎo)面;SnO2、In2O3; 透明電導(dǎo)膜。半導(dǎo)體元件和半導(dǎo)體集成電路用薄膜 成膜材料有 Ni、Ag、Au-Ge、Ti-Ag-AuAl、AL-Si、AI-Si-Cu、Mo、MoSi、WSi、TiPt-Au、W-Au、MoAu、Cr-Cu-Au半導(dǎo)體膜;SiOz、AlO3、SiN，絕緣膜。 3.電發(fā)光元件中的In2O3;+SnO3，透明光導(dǎo)膜，ZnS、ZnS+ ZnSe、ZnS+CdS熒光體和Al電極，Y2O3;SiO2、Si3N4.、Al2O3,絕緣膜。 傳感器件的PbO+In2O3;、Pb、NbN、V3Si約夫遜結(jié)合膜，F(xiàn)e-Ni磁泡用膜以及電傳感用 Se、Te、CdS、ZnS傳感器膜。

影響薄膜生成的因素有: (1) 濺射氣體。濺射氣體應(yīng)具備濺射產(chǎn)額高，對(duì)靶材呈惰性，價(jià)格便宜，易于獲得高 純度等特點(diǎn)。一般來說，氬氣是較為理想的濺射氣體。 (2)濺射電壓及基片電壓。這兩個(gè)參數(shù)對(duì)膜的特性有重要影響，濺射電壓不但影響沉積速率，而且還嚴(yán)重影響沉積薄膜的結(jié)構(gòu)?；娢恢苯佑绊懭松涞碾娮恿骰螂x子流。若基片接地，則受到等同的電子轟擊;若基片懸浮，則在輝光放電區(qū)取得相對(duì)于地的電位稍負(fù)的懸浮電位V1，而基片周圍等離子體的電位 V2要高于基片電位，這將引起一定程度的電子和正離子的轟擊，導(dǎo)致膜厚、成分和其他特性的變化:若基片有目的地施加偏壓，使其按電的極性接受電子或離子，不僅可以凈化基片，增強(qiáng)膜的附著力，而且還可以改變膜的結(jié)構(gòu)。在用射頻濺射鍍膜時(shí)，制備導(dǎo)體膜加直流偏壓:制備介質(zhì)膜加調(diào)諧偏壓。

隨著濺射鍍膜特別是磁控濺射鍍膜技術(shù)的日益發(fā)展，目前，對(duì)何材料都可以通過離子轟擊靶材制備薄膜，由于靶材被濺射的過程中將其涂覆到某種基片，對(duì)濺射膜的質(zhì)量有著重要的影響，因此，對(duì)靶材的要求也更加嚴(yán)格。在靶材選用上，除了應(yīng)按膜本身的用途進(jìn)行選擇外，還應(yīng)考慮如下幾個(gè)問題： 1.靶材成膜后應(yīng)具有良好的機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性；