射頻濺射鍍膜的主要特點(diǎn) a.濺射速率高。如濺射SiO2時(shí)，沉積速率可達(dá)200nm/min。通常也可達(dá)10~100nm/min。 而且成膜的速率與高頻功率成正比關(guān)系。 b.膜與基體間的附著力大于真空蒸鍍的膜層。這是由于向基體內(nèi)入射的原子平均動能大約為 10eV，而且處于等離子體中的基體會受到嚴(yán)格的濺射清洗致使膜層針孔少、純度高、膜層致密。 c.膜材適應(yīng)性廣泛，既可是金屬也可以是非金屬或化合物，幾乎所有材料可制備成圓形板狀，可長期使用。 d對基體形狀要求不苛刻?；w表面不平或存在寬度在 1mm 以下的小狹縫也可濺射成膜。

當(dāng)膜材原子開始沉積時(shí)，離子轟擊對膜/基界面會產(chǎn)生如下影響: (1) 物理混合。因?yàn)楦吣茈x子注人，沉積原子的被濺射以及表面原子的反沖注入與級聯(lián)碰撞現(xiàn)象，將引起近表面區(qū)膜/基界面的基片元素和膜材元素的非擴(kuò)散型混合，這種混合效果將有利于在膜/基界面間形成“偽擴(kuò)散層”，即膜/基界面間的過渡層，厚達(dá)幾微米其中甚至?xí)霈F(xiàn)新相。這對提高膜/基界面的附著強(qiáng)度是十分有利的。 (2) 增強(qiáng)擴(kuò)散。近表面區(qū)的高缺陷濃度和較高的溫度會提高擴(kuò)散率。由于表面是點(diǎn)缺陷，小離子有偏析表面的傾向，離子轟擊有進(jìn)一步強(qiáng)化表面偏折的作用并增強(qiáng)沉積原子和基片原子的相互擴(kuò)散。

磁控濺射主要包括放電等離子體輸運(yùn)、靶材刻蝕、薄膜沉積等過程，磁場對磁控濺射各個(gè)過程都會產(chǎn)生影響。在磁控濺射系統(tǒng)中加上正交磁場后，電子受到洛倫茲力的作用而做螺旋徑跡運(yùn)動，必須經(jīng)過不斷的碰撞才能漸漸運(yùn)動到陽極

（1）等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積溫度低。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的優(yōu)勢在于它可以在比傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積低得多的溫度下獲得單質(zhì)或化合物薄膜材料。