離子束輔助沉積技術(shù)是把離子束注入與氣相沉積鍍膜技術(shù)相結(jié)合的離子表面復(fù)合處理技術(shù)。在離子注人材料表面改性過程中，無論是半導(dǎo)體材料還是工程材料，往往都希望改性層的厚度遠(yuǎn)超離子注入的厚度，但又希望保留離子注入工藝的優(yōu)點(diǎn)，譬如改性層與基體間無尖銳界面，可在室溫下處理工件等。因此，將離子注入與鍍膜技術(shù)結(jié)合在一起，在鍍膜的同時(shí)，將具有一定能量的離子不斷地入射到膜與基材的界面，借助于級(jí)聯(lián)碰撞使得界面原子混合，在初始界面附近形成原子混合過渡區(qū)，以提高膜與基材之間的結(jié)合力。然后，在原子混合區(qū)上，再在離子束參與下，繼續(xù)生長(zhǎng)出要求厚度和特性的薄膜。 這就是離子束輔助沉積 (IBED)，既保留了離子注入工藝的特點(diǎn)，又可實(shí)現(xiàn)在基體上覆以與基材完全不同的薄膜材料。

CVD技術(shù)是建立在化學(xué)反應(yīng)基礎(chǔ)上的，通常把反應(yīng)物是氣態(tài)而生成物之一是固態(tài)的反應(yīng)稱為CVD反應(yīng)，因此其化學(xué)反應(yīng)體系必須滿足以下三個(gè)條件: (1)在沉積溫度下，反應(yīng)物必須有足夠高的蒸氣壓。若反應(yīng)物在室溫下全部為氣態(tài)，則沉積裝置就比較簡(jiǎn)單，若反應(yīng)物在室溫下?lián)]發(fā)很小，則需要加熱使其揮發(fā)，有時(shí)還需要用運(yùn)載氣體將其帶人反應(yīng)室。 (2)反應(yīng)生成物中，除了所需要的沉積物為固態(tài)之外，其余物質(zhì)都必須是氣態(tài)。 (3)沉積薄膜的蒸氣壓應(yīng)足夠低，以保證在沉積反應(yīng)過程中，沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上?；牧显诔练e溫度下的蒸氣壓也必須足夠低。

離子注入的主要不足之處是其注入層比較淺，約為百納米數(shù)量級(jí)。這一深度對(duì)材料表面改性，特別是金屬材料表面改性來說顯得不足。為了彌補(bǔ)這一缺點(diǎn)。人們把離子注入與膜層沉積過程結(jié)合起來，形成了離子束輔助沉積表面改性技術(shù)。離子束輔助沉積技術(shù)是把離子注入與氣相沉積薄膜相結(jié)合的材料表面改性新技術(shù)。

離子束能量范圍分類 離子束的能量是在高壓電場(chǎng)加速下獲得的。其能量 (E)范圍如下: 1)高能離子束能量，E=20~100keV，用于離子束注人和離子束混合。 2)中能離子束能量，E=500~1000eV，用于離子束射鍍膜、離子束刻蝕鍍膜前預(yù)轟擊清洗。 3)低能離子束能量，E≤500eV，鍍膜時(shí)進(jìn)行輔助沉積