07
2022-05
真空等離子清洗機(jī)，可定制化設(shè)計(jì)
等離子體是氣體分子在真空、放電等特殊場合下產(chǎn)生的物質(zhì)。等離子清洗/刻蝕產(chǎn)生等離子體的裝置是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電磁場，用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體越來越稀薄，分子間距及分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離也越來越長，受磁場作用，發(fā)生碰撞而形成等離子體，同時(shí)會(huì)發(fā)生輝光。等離子體在電磁場內(nèi)空間運(yùn)動(dòng)，并轟擊被處理物體表面，從而達(dá)到表面處理、清洗和刻蝕的效果。
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07
2022-05
硬質(zhì)涂層的發(fā)展、現(xiàn)狀及未來
經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，硬質(zhì)涂層的發(fā)展已經(jīng)上了一個(gè)新的臺(tái)階。從二十世紀(jì)七十年代化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)制備TiN開始，經(jīng)歷了物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的出現(xiàn)，TiAlN涂層的廣泛應(yīng)用，直至如今的AlTiN，CrAlN，TiAlSiN，金剛石等一系列新型涂層的誕生和應(yīng)用。硬質(zhì)涂層已經(jīng)呈獻(xiàn)百花齊放的態(tài)勢。
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07
2022-05
PECVD沉積氮化硅薄膜
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( PECVD)是利用輝光放電的物理作用來激活粒子的一種化學(xué)氣相沉積( CVD)反應(yīng)，是集等離子體輝光放電與CVD于一體的薄膜沉積技術(shù)。PECVD沉積氮化硅的過程溫度僅需300～400℃，因此氮化硅不會(huì)出現(xiàn)因溫度過高引起器件失效的問題。此外，PECVD法還可以通過改變沉積參數(shù)的方法制備不同應(yīng)力狀態(tài)的薄膜以滿足不同的需要。
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07
2022-05
機(jī)加工如何正確選擇刀具涂層，提高刀具壽命？
刀具表面涂層技術(shù)是應(yīng)市場需求而發(fā)展起來的一種表面改性技術(shù)，自上世紀(jì)60年代出現(xiàn)以來，該項(xiàng)技術(shù)在金屬切削刀具制造業(yè)內(nèi)得到了極為廣泛的應(yīng)用。尤其是高速切削加工技術(shù)出現(xiàn)之后，涂層技術(shù)更是得到了迅猛的發(fā)展與應(yīng)用，并成為高速切削刀具制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。該項(xiàng)技術(shù)通過化學(xué)或物理的方法在刀具表面形成某種薄膜，使切削刀具獲得優(yōu)良的綜合切削性能，從而滿足高速切削加工的要求。
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