真空離子鍍膜技術(shù)（簡(jiǎn)稱離子鍍）是由美國(guó)Sandin公司開發(fā)的將真空蒸發(fā)和真空濺射結(jié)合的一種鍍膜技術(shù)。離子鍍膜過(guò)程是在真空條件下，利用氣體放電使工作氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在工作氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)的離子轟擊作用下，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物沉積在被鍍基片表面的過(guò)程。

物理氣相沉積（physical vapor deposition, pvd）技術(shù)，是一種在真空條件下利用物理過(guò)程將材料源轉(zhuǎn)變成原子、分子或等離子體并最終沉積到基體表面上的方法。該技術(shù)所鍍制的涂層光滑致密且與基體結(jié)合良好，所采用的工作溫度較低因而基體材料適用范圍極廣，所產(chǎn)生的環(huán)境排放無(wú)污染故而屬于綠色環(huán)保加工技術(shù)。特別是采用該技術(shù)所鍍制的減摩耐磨涂層，不僅具有低摩擦和低磨損的特點(diǎn)，更是具有高硬度、強(qiáng)結(jié)合、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于航空航天、海洋工程、機(jī)械制造以及汽車零部件等行業(yè)。

1、打開真空控制電源開關(guān)。 2、開維持泵對(duì)擴(kuò)散泵抽低真空，并測(cè)量前級(jí)真空度。 3、待前級(jí)壓力達(dá)到5*100后，開擴(kuò)散泵加熱。 4、開充氣閥，對(duì)鍍膜室充氣，打開鍍膜室門，裝好清洗干凈的工件，關(guān)好爐門。 5、待擴(kuò)散泵正常工作一小時(shí)后，開機(jī)械泵開預(yù)抽閥，對(duì)真空室手抽真空至1*103，然后開羅茨泵。

銦錫氧化物( Indium Tin Oxide ,簡(jiǎn)稱ITO) 薄膜是一種用途廣泛的透明導(dǎo)電材料,已成熟的應(yīng)用于電機(jī)車擋風(fēng)玻璃、液晶顯示器件、太陽(yáng)能電池、全息照相和液晶彩色電視等,蓄勢(shì)待發(fā)的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode ,簡(jiǎn)稱OLED) 。從應(yīng)用角度出發(fā),通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ,薄膜中銦錫低價(jià)化合物愈少愈好。ITO 薄膜的制備方法很多,如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。隨著液晶顯示器技術(shù)向高精細(xì)化和大型化發(fā)展,磁控濺射法備受歡迎。